來自德國RWTH大學和AMO GmbH亞琛工業的研究人員利用單層石墨烯組裝了一種高度敏感的霍爾效應傳感器。在室溫下石墨烯的載流子遷移率非常高和非常低的載體密度使它成為一種材料，一種可以超越所有當前現有的霍爾傳感器技術的材料。
研究人員為了保護石墨烯免于環境污染通過用六角氮化硼層進行封裝。因此組裝成的器件顯示電壓和當前的電流靈敏度分別達到3 V/VT和5700 V/AT。這些數值超過了一個數量級以上在硅器件實現同樣的功能上和兩倍以上的數值達到最好的III/V半導體霍爾傳感器在周圍環境條件下。此外，這項研究結果遠比早些時候報道的石墨烯霍爾傳感器在氧化硅和碳化硅基板上要好的多。
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