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進(jìn)口磷砷合金晶體P-As(Phosphor-Arsenic alloy)

磷砷合金晶體P-As(Phosphor-Arsenic alloy)

      磷砷合金是一種半導(dǎo)體。 我們有不同類型的p-As合金，含有不同的比例p/a。 對于少量的AS晶體，仍然可以被切割為2d晶體，單位細(xì)胞參數(shù)類似于黑磷（點(diǎn)擊這里）。

晶體尺寸: ~mm
電學(xué)性能: 半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu): 正交c(Orthorhombic C)
單位單元參數(shù): 取決于合金中的成分,P/As ~1:a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90°
純度:>99.995 %

http://hqgraphene.com/pdf/Price-list-HQGraphene.pdf
價(jià)格:11000元/盒

jc@jcno.net


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